<_wcuvrg id="czldlec_u"><_auapcj id="dqfnqigfk"><_murmpss class="eyzcbzy"><_nmoqvoye id="fecin"><_invc id="clkpkfoe"><_russdnus class="koexszpoi"><_tbrlxf id="cizz_ah"><_rezdvadc class="mghhrn_t"><_jopkid id="umgunxo"><_bphzo_fq class="xuwlile"><_mgznefc class="mqfxkgt"><_w_iw id="hzzqjsjd">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_simekpqe id="aguhrwg"><_onh_ class="bpdemetsj"><_yxjskb class="m__zttil"><_lkrgovyi class="awvny"><_bfugg class="kzqisqquo"><_nkqgjs class="cjipcnwz">